Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND Новое поколение G11 обещает вдвое большую плотность записи и ускоренный интерфейс до 5, 4 Гбит/с Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти, пропустив в названии индекс G10 и сразу анонсировав G11. Производитель официально подтвердил, что количество слоёв превысило отметку в 400. Это минимум на 45% больше, чем у текущего поколения G9 с 276 слоями, используемого, например, в SSD Crucial P510. Наращивание этажности — не единственный способ повысить ёмкость. Благодаря новому техпроцессу и рекордно малому шагу ячеек битовая плотность G11 примерно вдвое выше по сравнению с G9. Если экстраполировать прежний показатель в 21 Гбит на квадратный миллиметр для TLC-памяти, то для новинки можно ожидать около 42 Гбит/мм². Это не финальная цифра, а оценка, поскольку Micron не уточнила, идёт ли речь строго о TLC или и о QLC. Micron также переходит на технологию соединения пластин "wafer-on-wafer", когда массив ячеек памяти и логика ввода-вывода изготавливаются по отдельности, а затем сплавляются воедино. Ранее этот подход внедрили YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung. Инженеры заявляют и о разгоне интерфейса: скорость передачи данных между контроллером и NAND вырастет на 50% относительно G9, с 3, 6 Гбит/с до примерно 5, 4 Гбит/с. При этом энергопотребление на передачу одного бита снизится более чем на 25%. Массовое производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года.